به منظور بررسی تحلیلی در زمینه وجود فرایند بیرونی سازی در فرایند دانش آفرینی خبرگزاری ایسنا، میانگین متغیر بیرونی سازی مورد آزمون قرار گرفت. بدین منظور از آزمون میانگین یک نمونه ­ای بهره گرفته و مقدار میانگین جهت انجام آزمون­های آماری µ_x= 3 در نظر گرفته می­ شود­. در این راستا فرضیات زیر مورد آزمون قرار می­گیرند.
در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند بیرونی سازی وجود دارد.
فرض صفر: در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند بیرونی سازی وجود ندارد. (≤۳µ)
فرض مقابل: در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند بیرونی سازی وجود دارد. (>3µ)
Table 11 جدول شماره ۴-۱۰: نتایج آمار توصیفی در مورد وجود فرایند بیرونی سازی

Table 12 جدول شماره ۴-۱۱: نتایج آزمون میانگین یک نمونه ­ای در مورد وجود فرایند بیرونی سازی

اگرچه با توجه به سطح معنی­داری، که کوچکتر از سطح خطا می­باشد، فرض صفر رد می­ شود، اما با مدنظر قرار دادن دوطرفه بودن آزمون تی، می­توان استدلال کرد که نظر به منفی بودن آماره آزمون (۲٫۸۹۲-) و همچنین منفی بودن فاصله اطمینان، در سطح اطمینان ۹۵ درصد داده ­های نمونه دلالت کافی برای تأیید فرض صفر را دارند. لذا با ۹۵ درصد اطمینان می­توان گفت که در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند بیرونی سازی وجود ندارد.

(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

فرضیه فرعی سوم:
به منظور بررسی تحلیلی در زمینه وجود فرایند ترکیب در فرایند دانش آفرینی خبرگزاری ایسنا، میانگین متغیر ترکیب مورد آزمون قرار گرفت. بدین منظور از آزمون میانگین یک نمونه ­ای بهره گرفته و مقدار میانگین جهت انجام آزمون­های آماری µ_x= 3 در نظر گرفته می­ شود­. در این راستا فرضیات زیر مورد آزمون قرار می‌گیرند.
در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند ترکیب وجود دارد.
فرض صفر: در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند ترکیب وجود ندارد. (≤۳µ)
فرض مقابل: در فرایند دانش آفرینی در خبرگزاری ایسنا، فرایند ترکیب وجود دارد. (>3µ)
Table 13 جدول شماره ۴-۱۲: نتایج آمار توصیفی در مورد وجود فرایند ترکیب

• در ابتدا یک جمعیت با تعداد مشخصی از کروموزوم ها تولید می شود.

• یک تابع ارزیابی در این مرحله کروموزوم ها ارزش دهی می کند.

• • • در این مرحله دوباره به تولید جمعیتی می پردازیم با این تفاوت که کروموزوم هایی که دارای ارزش بیشتری هستند انتخاب می شوند. همچنین از دو عمل کراس اور و ترکیب برای ایجاد واگرایی در جمعیت نیز استفاده می شود.

  ( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

• تا زمانی که جواب مورد نظر بدست نیامده است دوباره از مرحله ۲الگوریتم تکرار می شود.

در زیر شبه کد مربوط به ژنتیک الگوریتم نشان داده شده است.
begin
Initialization: Generate the inpopulation P(t=0) of n individuals
Fitness: Evaluate the fitness of each individual of the population. Evaluate (P(t))
While (not termination condition) do
Selection: Select a subset of m pairs from P(t). Let P₁(t) = Select (P(t)).
Crossover: With probability p_c , cross each of the m chosen pairs.
Let P₂(t) = Cross (P₁(t)) be the set of offsprings.
Mutation: With probability p_m , nutate each offsprings in P₂(t).
Let P₃(t) = Mutate (P₂(t)).
Fitness: Evaluate the fitness of each offspring. Evaluate (P₃(t)).
Replacement: Create a new generation from individuals in P(t) and P₃(t).
Let P(t+1) = Replace(P(t),P₃(t)) ; t = t + 1.
fwhile
return Best found solution;
end
شکل ۲-۳- شبه کد الگوریتم ژنتیک
آخر فصل سوم یک جدول مقایسه ای شامل روش های مطرح شده ویژگیهای مزایای و معایب آنها درج می شود مثلاً کاربرد در پردازش شبکه ای کاربرد در سیستم Clint serverو هزینه پردازشی مثلاً پیچیدگی محاسباتی

فصل ۳:
پیشینه تحقیق
۳-۱- یک سیستم مبتنی بر عامل برای مدیریت منابع( ARMS)
یکی از مسایل مورد بحث در پردازش شبکه ای مدیریت منابع می باشد. مقیاس پذیری و قابلیت سازگاری در سیستم ها نیز از موارد مهم در طراحی سیستم ها می باشد. در این پژوهش یک سیستم مبتنی بر عامل برای مدیریت منابع در پردازش شبکه ای ارائه شده است. در این روش یک سلسله مراتبی از عامل ها برای ایجاد قابلیت سازگاری و مقیاس پذیری استفاده شده است[۱۰]. در این روش عامل ها قابلیت انتقال اطلاعات و تعامل با یکدیگر را دارا می باشند.

شکل۳-۱. ساختار یک سیستم مبتنی بر عامل برای مدیریت منابع( ARMS) [۱۰]
ساختار عامل ها در ARMSدر شکل ۳-۱ نشان داده شده است. هر لایه دارای ماژول های متفاوت و متعدد می باشد. در این شکل همچنین سه کار مهم توسط عامل ها انجام می شود :

• اگاهی دادن برای انجام دادن یک سرویس

• یافتن سرویس ها

• اجرای برنامه

لایه ارتباط در این معماری وظیفه برقراری ارتباط با عامل ها را بر عهده دارد. این لایه مانند یک واسط میانی بین عامل ها و محیط خارج عمل می کند. در این لایه عامل اطلاعات در مورد اعلان های سرویس و یافتن منابع نیز انجام می شود.
چهار عامل برای قرار دادن یک عامل در یک لایه وجود دارد :

• کنترل کننده ACT

• موتور ارزیابی PACE

• الگوریتم زمان بندی

• زوج یاب

در شکل ۳-۲ نحوه مدیریت منابع توسط عمل ها نشان داده شده است.

شکل۳-۲٫ ساختار درختی به منظور مدیریت منابع

۳-۲- روش پیوندی مورچگان به منظور زمان بندی کارهای مستقل در محیط های ناهمگن پردازشی
این روش از ترکیب الگوریتم اجتماع مورچگان و جستجوی های محلی و تابو تشکیل شده است[۱۱]. هر مورچه در این روش جواب خود را با توجه به اطلاعات ذخیره شده در دنباله فرمون و تابع هیوریستیک خود بدست می آورد. هر مورچه کار خود را در ابتدا بدون زمان بندی و با پردازنده به انجام کارها می پردازد. یک کار مانند j به صورت احتمالی برای زمان بندی با توجه به رابطه(۳-۱) قابل انتخاب می باشد :

_(۳-۱) 
در این رابطه α پارامتری است که برای تعریف میزان ارتباط اطلاعات فرمون استفاده می شود. β نیز تعریف گر وزن ارتباطی با اطلاعات هیوریستیک می باشد. کاری که با توجه به فرمول بالا انتخاب می شود, به لیست کارها اضافه می شود. این عمل تا زمانی که تمامی کارها زمان بندی نشده اند ادامه پیدا می کند. در بسیاری از پژوهش ها مساله ترکیب الگوریتم اجتماع مورچگان و الگوریتم های جستجوی محلی مطرح شده است. الگوریتم های جستجوی محلی در بسیاری از شرایط باعث افزایش کارایی سیستم می شوند. جستجو های محلی به سرعت و با تاثیر به سزایایی جواب ها را بهبود می دهند. یکی از این الگوریتم ها , الگوریتم تابو می باشد. در این روش سعی بر این شده است که از مکان هایی که باعث مشکل مینیمم محلی می شود دوری شود. این عمل با در دست داشتن لیستی به نام تابو لیست که نقاط قبلی که دیده شده است در ان وجود دارد صورت می گیرد. علاوه بر موارد ذکر شده, جستجوی تابو نتایج خوبی را در کنار روش اجتماع مورچگان نشان داده است.

۱­۱۱) انواع نانولوله های کربنی
نانولوله­های کربنی به دو دسته کلی نانولوله­های کربنی تک­ دیواره^[۱۳] و نانولوله های کربنی چند­ دیواره^[۱۴] تقسیم می شوند. چنانچه نانولوله کربنی فقط شامل یک لوله از گرافیت باشد، نانولوله تک دیواره و اگر شامل تعدادی از لوله­های متحد المرکز باشد نانولوله چند دیواره نامیده می­ شود. یک نانو لوله تک جداره از دو قسمت بدنه و در پوش با خواص فیزیکی و شیمیایی متفاوت تشکیل شده است. ساختار در پوش، مشابه یک فولرن کوچک و مرکب از حلقه های ۵ و ۶ ضلعی اتم کربن است که در کنار هم قرار گرفته اند و ساختاری گنبدی شکل را به عنوان در پوش ایجاد کرده اند. C₆₀ همانند قسمت دیگر، بدنه استوانه ای شکل آن است که از یک صفحه گرافیتی تشکیل شده است. نانولوله تک جداره به دلیل خواص الکتریکی جالبش، نوع بسیار مهمی از نانولوله ها محسوب می شود. نانولوله های کربنی چند جداره از چند استوانه کربنی هم محور تو در تو ایجاد شده است که می توان آن را به صورت دسته ای از نانولوله های هم مرکز با قطرهای متفاوت در نظر گرفت. طول و قطر این ساختار ها در مقایسه با نانو لوله های تک جداره بسیار متفاوت بوده و دارای خواص متفاوتی نیز می باشند.
شکل۱-۶- نمایی از نانولوله چند لایه
نانولوله های تک­جداره نیز بر حسب آرایش اتم‌های کربنی مقطع لوله به سه دسته مهم صندلی^[۱۵] و نامتقارن^[۱۶] که دارای خاصیت فلزی هستند و زیگزاگ^[۱۷] که خاصیت نیمه‌رسانایی دارد، تقسیم می شوند [۶] .
۱­۱۱­۱) نوع صندلی
در صورتی که اتم ابتدایی و اتمی که در وضعیت ۴۵ درجه نسبت به آن قرار دارد، روی هم قرار بگیرند، نانولوله نوع صندلی به دست می آید و در این حالت می توانیم بین این دو اتم یک خط مستقیم رسم کنیم که معادله آن «m=n» است. یعنی شماره ستون و ردیف هر یک از آنها با یکدیگر برابر است. در این حالت با یک بار گردش به دور نانولوله تعدادی صندلی پشت سرهم ایجاد می شود [۶].
۱­۱۱­۲) نوع زیگزاگی
برای ایجاد نوع زیگزاگی نانولوله اتم ها را در راستای افقی (ستون به ستون) شمرده شده را با خم کردن صفحه، به روی اتم ابتدایی انطباق می دهیم. برای اطمینان از درستی کار باید دقت کرد که درانتها، در راستای افقی یک خط شکسته زیگزاگ به دور نانولوله ایجاد شود [۶].
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

۱­۱۱­۳) نوع نامتقارن
این حالت مشابه روش صندلی می باشد، با این تفاوت که در مختصات اتم انتهایی، «m≠n» خواهد بود [۶].
شکل۱-۷- نمایی از نانولوله های زیگزاگ ، صندلی و نامتقارن
۱­۱۲) خصوصیات فیزیکی و شیمیایی نانولوله ها
نانولوله ها علی رغم برخورداری از قطر بسیار کم، استحکام کششی بالایی دارند. از دیگر خصوصیات آنها وجود پیوندهای واندروالس بین اتم ها و لذا توانایی پایین آن ها برای چسبیدن به یکدیگر در نانولوله فلزی و نیمه هادی، رسانایی در جهت طولی، رسانایی حرارتی و خاصیت نشر میدانی است [۹-۸-۷].
۱­۱۳) فرآیندهای تولید نانولوله
به طور کلی برای تولید هر نانو ذره یکی از دو روش تولید بالا به پایین و یا روش پایین به بالا به کار گرفته می­ شود. در روش بالا به پایین از ساختار­های میکرو و بزرگتر به ابعاد نانو رسیده، اما در روش پایین به بالا از کنار هم قرار گرفتن بلوک­های سازنده نانومواد، ساختار شکل می­گیرد که این روش مبتنی بر کلیات شیمی می­باشند. شش روش کلی و مرسوم برای تولید نانومواد وجود دارد که عبارتند از: قوس الکتریکی، رسوب­دهی فاز بخار شیمیایی، رسوب­گذاری الکتریکی، سنتز از طریق سل- ژل، آسیاب کردن و سایش با حرکت گلوله. در این میان، چهار روش اول جزء روش­های تولید پائین به بالا و دو روش آخر، روش بالا به پائین محسوب می­گردند. از روش­های ذکر شده فوق، فرایند­های قوس الکتریکی، تبخیر لیزری و رسوب­دهی بخارات شیمیایی عمده ترین روش­های تولید نانولوله­ها بوده که دو روش اول بر پایه^ء کربن جامد و روش آخر بر پایه کربن گازی صورت می­گیرد [۱۳].
۱­۱۴) کاربرد نانولوله‌ها
خواص ویژه نانولوله‌های کربنی، آن­ها را به انتخاب ایده آلی برای بسیاری از کاربردها تبدیل کرده است.
امروزه در روند تحقیق درباره نانولوله‌ها توجه و تعمق ویژه‌ای بر روی استفاده از آن­ها در ساخت ابزارها متمرکز شده است. اکثر پژوهشگرانی که در دانشگاه‌ها و آزمایشگاه‌های تحقیقاتی سرتاسر دنیا بر روی نانولوله‌ها کار می‌کنند با خوش‌بینی پیش‌بینی می‌کنند که در آینده‌ای نزدیک نانولوله‌ها کاربردهای صنعتی وسیعی خواهند داشت. در ادامه چند مورد از حوزه‌های مهم کاربرد نانولوله‌ها اشاره می شود.
۱­۱۴­۱) به عنوان تقویت کننده در کامپوزیت ها
نانولوله های کربنی یکی از مستحکم ترین مواد به شمار می روند. این موضوع، کاربرد آن ها را به عنوان ماده پرکننده در تولید نانوکامپوزیت ها به خوبی روشن می سازد. کامپوزیت های از نوع نانولوله ی کربنی دارای نسبت استحکام به وزن بالایی می باشند که مصارف بسیاری در صنعت خواهند داشت. توزیع یکنواخت نانولوله‌ها در زمینه کامپوزیت و بهبود چسبندگی نانولوله‌ با زمینه در فرآوری این نانوکامپوزیت‌ها از موضوعات بسیار مهم است. شیوه توزیع نانولوله‌ها در زمینه پلیمری از پارامترهای مهم در استحکام‌ دهی به کامپوزیت می‌باشد. آنچه از تحقیقات برمی‌آید این است که استفاده از خواص عالی نانولوله‌ها در نانوکامپوزیت‌ها وابسته به استحکام پیوند فصل مشترک نانولوله و زمینه می‌باشد. نکته دیگر آنکه خواص غیر همسانگردی نانولوله‌ ها باعث می‌شود که در کسر حجمی کمی از نانولوله‌ها رفتار جالبی در این نانوکامپوزیت‌ها پیدا شود [۱۴].
شکل۱-۸- نانولوله ها جهت استحکام دهی کامپوزیت
۱­۱۴­۲) حسگرها
حسگر زیستی یک ابزار شناسایی و تجزیه زیستی است که به کمک یک مبدل^[۱۸] وجود یک مولکول را شناسایی می کند. نانوحسگرهای زیستی ، انواعی از نانوحسگرها هستند که برای تشخیص مواد شیمیایی و زیستی استفاده می شوند. استفاده از نانومواد مثل نیمه رساناها، نانوسیم، نانوذرات و غیره برای کاربرد در حسگرهای زیستی به سرعت در حال توسعه است. از جمله این مزایا می توان به کوچک سازی وسیله، افزایش امواج و تشدید امواج مغناطیسی به وسیله ی برچسب های نانوذره^[۱۹] اشاره کرد که سبب افزایش حساسیت می شوند. نانومواد دارای ویژگی های فیزیکی، نوری و الکتروشیمیایی منحصر به فردی هستند که در حس کردن^[۲۰] بسیار مفید می باشند. از جمله نانومواد، ذرات کوانتومی، نانوذرات طلا، نانوذرات مغناطیسی و نانولوله های کربنی را می توان نام برد [۱۶-۱۵].
شکل۱­۹­ زیست حسگرها
۱­۱۴­۳) حافظه‌های نانولوله‌ای
به دلیل کوچکی بسیار زیاد نانولوله‌های کربنی ‌(که در حد مولکولی است)، اگر هر نانولوله‌ بتواند تنها یک بیت اطلاعات درخود جای دهد، حافظه‌هایی حاصل از این نانولوله‌ها می‌توانند مقادیر بسیار زیادی اطلاعات را ذخیره نمایند. با در نظر داشتن این مطلب، بسیاری از محققان در حال کار بر روی ساخت حافظه‌های نانولوله‌ای می‌باشند.
۱-۱۴-۴) ترانزیستورها
نانولوله‌ها درآستانه کاربرد درترانزیستورهای سریع هستند، اما آن ها هنوز هم در اتصالات داخلی استفاده می‌شوند. بسیاری از طراحان دستگاه ‌ها تمایل دارند به پیشرفت هایی دست یابند که آن ها را به افزایش تعداد اتصالات داخلی دستگاه‌ها درفضای کوچک تر، قادر نماید. ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله‌ ها دارای آستانه می باشند (یعنی سیگنال باید از یک حداقل توان برخوردار باشد تا ترانزیستور بتواند آن را آشکارکند) که می‌توانند سیگنال‌های الکتریکی زیرآستانه را در شرایط اختلال الکتریکی یا نویز، آشکار و ردیابی نمایند. همچنین از آنجایی که ضریب تحرک، شاخص حساسیت یک ترانزیستور برای کشف بار یا شناسایی مولکول مجاور می باشد، لذا ضریب تحرک مشخص می کند که قطعه تا چه حد می‌تواند خوب کار کند. ضریب تحرک تعیین می کند که بارها در یک قطعه چقدر سریع حرکت می‌کنند و این نیز سرعت‌ نهایی یک ترانزیستور را تعیین می کند. لذا اهمیت استفاده از نانولوله‌ها و تولید ترانزیستورهای نانولوله‌ای با داشتن ضریب تحرک برابر با ۱۰۰هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه در مقابل سیلیکون با ضریب تحرک ۱۵۰۰ سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه و ایندیم آنتیمونید (بالاترین رکورد بدست آمده تا به امروز) با ضریب تحرک ۷۷ هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه بیش از پیش مشخص می‌شود [۱۷].
۱­۱۴­۵) استفاده در نمایشگرهای تشعشع میدانی
یکی از مشکلات دستگاه های نشر میدان امروزی، عدم پایداری میدان های تولیدی در بازه های زمانی طولانی است. این مشکل را می توان با بهره گرفتن از نانولوله کربنی حل نمود. نانولوله‌ های کربنی می‌ توانند عنوان بهترین گسیل کننده میدانی را به خود اختصاص داده و ابزارهای الکترونی با بازده بالاتری تولید کنند. خصوصیات منحصر به فرد این نانولوله‌ها، امکان تولید نوعی جدید از صفحه نمایش‌ های تخت را میسر می کند که ضخامت آن ها چند اینچ بوده و نسبت به همتای فعلی از قیمت مناسب‌تری برخوردار باشد. از طرفی کیفیت تصویر آن ها هم به مراتب بهتر خواهد بود. در پدیده گسیل میدانی، الکترون ها با بهره گرفتن از ولتاژ کم از فیلم های ضخیم دارای نانولوله به سمت صفحه نمایش پرتاب شده و باعث روشن شدن آن می شوند. هر نقطه از این فیلم، یک پرتاب کننده الکترون (تفنگ الکترونی) کوچک است که تصویر را روی صفحه نمایش ایجاد می کند. ولتاژ لازم برای نمایشگر تشعشع میدانی از طریق صفحه نمایش صاف متکی بر نانولوله‌ نسبت به آنچه به صورت سنتی در روش اشعه کاتدی استفاده می شد، کمتر می‌باشد و این نانولوله‌ها با ولتاژ کمتر، نور بیشتری تولید می‌کنند [۱۸].
۱-۱۴-۶) کاربرد نانولوله در صنعت ساختمان
با توجه به کاربردهای بالقوه نانولوله نیاز به این ماده درصنایع داخلی دیده می شود. صنعت ساخت و ساز از صنایعی است که بهینه سازی مصالح ساختمانی در آن ضروری است. حداقل به سه دلیل زیر از نانولوله ها می توان در این عرصه کمک گرفت:
۱) نانولوله های کربنی به دلیل خواص مکانیکی عالی، در تولید پلیمرها، شیشه و مصالح ساختمان قابل استفاده هستند.
۲) از آنها می توان در ساخت سیستم‌های انتقال حرارت، به علت خواص ویژه هدایت حرارتی آنها استفاده کرد.
۳) استفاده از نانولوله های کربنی با طول زیاد به شکل ریسمان، در پل‌های معلق کاربرد دارد.
مثلاً‌ در بتن، از گذشته تا حال، فایبرهای فولادی (بتن آرمه) استفاده می شده‌اند. بنابراین بتن، مستعد استفاده از کربن نانولوله است. انتظار می ‌رود با بهره گرفتن از نانولوله های کربنی به خواص بهتری در بتن رسید. دلایل برتری استفاده از نانولوله کربنی در صنعت ساختمان عبارتند از:
-خواص ویژه مکانیکی هدایت حرارتی و الکترونیکی
- نسبت طول به قطر بسیار بالا
- اندازه کوچک فایبرها و قابلیت پخش­شدن بالا در زمینه سیمان و بتن (تقویت‌کننده عالی)
- نانوتیوب ‌ها با اجزاء و ترکیبات سیمان پیوند حاصل کرده و باعث کنترل مناسب سیستم سیمان می شوند [۱۹].
۱­۱۴­۷) قابلیت ذخیره سازی
در نانولوله‌ها هر سه اتم کربن قابلیت ذخیره یک یون لیتیم را دارند، در حالی که در گرافیت در هر شش اتم کربن توانایی ذخیره یک یون لیتیم وجود دارد. به طور کل نانولوله­های کربنی به علت تخلخل بالا قابلیت جذب مواد به خصوص گازها را دارا می­باشند. میزان جذب درون نانولوله­ها تابع پارامترهایی از جمله دما، فشار و نوع نانولوله است. در مورد هیدروژن، جذب برگشت­پذیر و به مقدار بالا گزارش شده که این پدیده در زمینه آزمایشگاهی و همچنین صنعتی قابل توجه است با این وجود هنوز مکانیزم اصلی ذخیره هیدروژن به درستی درک نشده است. از سال­های قبل موادی با توانایی بالای ذخیره هیدروژن، برای ذخیره انرژی مورد توجه بوده ­اند. هیدریدهای فلزی و جذب در دمای پایین دو وسیله برای جذب هیدروژن هستند. در هیدریدهای فلزی، هیدروژن به صورت فاز گازی برگشت­پذیر جذب می­ شود و انرژی الکتریکی به وسیله تبدیل مستقیم الکتروشیمیایی تولید می­ شود. جذب هیدروژن در دمای پایین و فشار بالا عملکرد باتری­های هیدرید فلزی را محدود می­ کند با توجه به ساختار استوانه­ای شکل و توخالی نانولوله­های کربنی، این مواد توانایی ذخیره سازی مایع و گاز را بر اثر خاصیت مویینگی را دارند. ذخیره هیدروژن در نانولوله تک دیواره در نمونه ­ای که حاوی wt%1/0-2/0 از این ماده بوده در حدود wt%10-5 می­باشد. گروهی از محققین با انجام آزمایش­هایی به روی نانولوله کربنی تک­دیواره خالص دریافته­اند که در دمای K300 هیچ هیدروژنی جذب نمی­ شود اما اگر انتهای نانولوله­ها با اکسایش ( برای مثال استفاده از اسید­نیتریک رقیق شده ) باز شود، مقدار مولکول­های هیدروژن جذب شده به wt%5-4 نانولوله می­رسد. مطالعه بر روی نانولوله­های خالص­تر، جذب wt% 8 گاز هیدروژن را در دمای K80 و فشار atm100 نشان داد که نانولوله­های کربنی بیشترین ظرفیت ذخیره هیدروژن را نسبت به هر ماده کربنی دارد. افزون بر هیدروژن نانولوله­های کربنی به آسانی در شرایط محیطی گازهای دیگر را نیز جذب می­ کنند که این جذب منجر به تغییر در خواص الکتریکی آن­ها می­ شود و با توجه به این خاصیت می­توان از نانولوله­ها به عنوان حسگر و در جهت تشخیص دادن گازها استفاده کرد [۱۲-۱۱-۱۰].
شکل۱-۱۱- ذخیره سازی اتم ها در نانولوله ها
۱-۱۴-۸) استفاده از نانولوله های تک دیواره در صنعت الکترونیک
نانولوله ها به میزان قابل توجهی سخت و قوی بوده و هادی جریان الکتریسیته و گرما می باشند. این خواص سبب استفاده از این مواد در صنعت الکترونیک شده است. نانولوله های کربنی سیم های مولکولی بزرگی هستند که الکترون می تواند آزادانه در آن حرکت کند. در این راستا رفتار نانولوله های چند دیواره بسیار پیچیده تر از تک دیواره است، زیرا لایه های کناری روی یکدیگر تأثیر می گذارند. مدل سازی چنین اثراتی از موضوعات تحقیقاتی درحال حاضر می باشد. محققان امیدوارند که ابعاد سیم ها یا قطعات را از طریق جایگزینی با نانولوله به حدود نانومتر یا کمتر برسانند. این قطعات در کنار مدارهای الکترونیکی می توانند خیلی سریعتر و با توان کمتر از مدارهای کنونی کار کنند. لامپ های تولید شده با نانولوله های کربنی هزینه تولید کمتری دارند. به علاوه عمر طولانی تر و ثبات رنگ بیشتر نسبت به لامپ های معمولی از مزایای دیگر این لامپ ها است [۱۹].
۱-۱۴-۹) سازگاری زیستی
جلب نظر دانشمندان به سازگاری زیستی نانولوله ها و اثرات مضر احتمالی آنها بر سلول ها، به این واقعیت بر می گردد که در سال های اخیر با افزایش روز افزون کاربرد های متفاوت نانولوله ها در صنعت و حضور بیشتر آن ها در محیط، ارتباط معناداری بین آنها و بیماری های تنفسی و پوستی پیدا شده است [۲۱-۲۰]. به همین علت بررسی این تأثیرات، یعنی تأثیر نانولوله بر سلول مورد توجه قرار گرفتند. بر خلاف مطالعاتی که در ابتدا نشان می دادند که نانولوله و هم خانواده های آن تأثیر چندانی بر ریخت شناسی^[۲۱]، رشد و تکثیر سلولی ندارند [۲۲]، امروزه مشخص شده است که شاخص هایی چون ابعاد فیزیکی، مساحت، مقدار، نسبت طول به قطر، زمان، خلوص و وجود عوامل شیمیایی متصل به سطح، هر یک به نوبه خود در سمی بودن نانولوله مؤثرند [۲۴-۲۳]. مطالعات نشان دادند که آستانه اثر کشندگی نانولوله برای نانولوله های چند دیواره و تک دیواره، حدود ۰۶/۳ میکرگرم در میلی لیتر است که این رقم در برابر فولرن که تا ۲۲۶ میکروگرم در میلی لیتر نیز اثر کشندگی برای سلول ندارد، رقمی قابل توجه است [۲۵]. بررسی ها نشان می دهد که نانولوله خالص دارای اثرات سمی بیشتری نسبت به نوع ناخالص آن می باشد [۲۳]. اما مهم تر از خلوص، اثر عوامل شیمیایی بر روی سطح نانولوله می باشد که موجب کاهش اثرات سمی آن می شود [۲۴].
۱-۱۵) نانولوله ها ی کربنی در پزشکی
رشد چشمگیر فناوری نانو طی ۳۰ سال گذشته باعث عرضه ابداعات قابل توجهی در زمینه داروشناسی شده است که به نوبه خود تحولات گسترده ای در زمینه انتقال ترکیبات فعال زیستی به وجود آورده است. مهمترین فناوری نانو در زمینه داروشناسی امکان انتقال دقیق داروها به هدفشان را فراهم آورده است. اخیراً سیستم های دارو رسانی جدیدی مبتنی بر آرایه های کربنی ارائه شده است که داروها را به شکل کنترل شده از محل تجویز دارو به محل اثر آن انتقال می دهد. این به معنی عبور مولکول های دارو از تعداد زیادی موانع فیزیولوژیک است که به سهم خود مهمترین مشکل در انتقال هدفمند داروها است [۲۶].

شکل ت-۲: اتصال به روش Daisy Chain
به این نکته توجه داشته باشید که طریقه سوکت زدن کابل RS485، بین برد اصلی و بردی که به آن متصل می­ شود، با کابل­های بین Slave ها متفاوت است. به همین دلیل ما کابل ارتباط بین برد اصلی و اولین برد Slave را با رنگ مشکی مونتاژ کرده­ایم.
بردهای Slave
این بردها برای اندازه ­گیری دما و ارسال آن­ها از طریق کانال ارتباطی RS485 به برد اصلی طراحی شده ­اند، که از یک طرف ترموکوپل­ها و از طرف دیگر کابل­های RS485 به آن ها متصل می­شوند (شکل ت-۳).
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))

اگر LED سبز رنگ روی برد روشن نشود کابل RS485 به درستی متصل نشده است یا همان تغذیه مدار متصل نیست و اگر LED آبی رنگِ روی برد در حین کار کردن سامانه چشمک می­زند، یعنی برد Slave، دما را به درستی از ترموکوپل­ها خوانده، بسته بندی کرده و برای برد اصلی ارسال می­ کند.
شکل ت-۳: بردهای Slave
چگونگی اتصال کابل­ها به سوکت DB9
اتصال بین بردهای SLAVE
برای اتصال کابل به سوکت­ها ابتدا باید روش خواندن شماره پایه­ های سوکت DB-9 را بدانید، همان­طور که در شکل ت-۴ مشاهده می­کنید، شماره پایه­ های سوکت نر (Male) و سوکت ماده (Female) برعکس هم هستند.
شکل ت-۴: نمایی از سوکت DB-9
برای سوکت زدن بین بردهای Slave، باید پایه­ های شماره ۱، ۲، ۳ و ۵ را به هم متصل کرد (شکل ت-۵) و به بقیه پایه­ها نیاز نداریم، ما در این سامانه از یک کابل ۹ رشته استفاده کردیم که سه سیم آن را به پایه شماره ۱ و سه سیم آن را به پایه شماره ۵ (تغذیه بردها)، دو سیم را به پایه شماره ۳ و سیم آخر را به پایه شماره ۲ متصل کرده­ایم.
در سوکت روی برد Slave پین­های ۱، ۶ و هم­چنین پین­های ۹، ۵ به هم متصل هستند؛ در نتیجه برای سادگی به جای اتصال سه سیم به پایه ۱، سیم­ها را بین دو پایه ۱ و ۶ متصل کنید، هم­چنین می­توانید بین پایه­ های ۵ و ۹ نیز همین کار را انجام دهید.
شکل ت-۵: اتصال سوکت DB-9 بین بردهای Slave
اتصال برد SLAVE به برد اصلی
در این کابل اتصالات کمی تغییر می­ کند، پایه­ های ۲ و ۳ را به هم متصل کنید، اما پایه­ های ۱ و ۶ سوکت نر را به پایه ۵ و ۹ سوکت ماده و پایه ۵ و ۹ سوکت نر را به پایه ۱ و ۶ سوکت ماده متصل کنید (شکل ت-۶).
در این اتصال نیز می­توانید سه سیم را به پایه مثبت، سه سیم را به پایه منفی، دو سیم را به پایه شماره ۲ و یک سیم را به پایه شماره ۳ متصل کنید.
شکل ت-۶: اتصال سوکت DB-9 برد اصلی به برد Slave
دلیل استفاده از ولتاژ تغذیه در داخل کابل­ها این است که هر برد نیاز به یک منبع تغذیه جداگانه ندارد و همگی از یک منبع، توان لازم را دریافت می­ کنند.
چگونگی اتصال سوکت به ترموکوپل­ها
اگر سوکت را مانند شکل ت-۷ در دستتان بگیرید، باید به سر شماره ۱، پایه مثبت و به سر شماره ۲، پایه منفی ترموکوپل را متصل کنید سپس، مانند شکل ت-۲ وقتی سر سوکت به سمت بالا است آن­ را درون برد Slave قرار می­دهید.
شکل ت-۷: نمایی از سوکت مخصوص ترموکوپل
نرم­افزار
برنامه نوشته شده برای سامانه اندازه ­گیری دمای ۶۴ کاناله که پیش­تر در مورد آن صحبت کردیم به زبان برنامه­نویسی گرافیکی LabVIEW نوشته شده است. در نرم­افزارLabVIEW ، با بهره گرفتن از چیدن توابعی که به صورت بلوک دیاگرام نمایش داده می­شوند و برقراری ارتباط ورودی و خروجی توابع با یکدیگر می­توان مواردی نظیر Monitoring، برنامه ­های کنترلی و شبیه­سازی سیستم­ها را پیاده سازی نمود. برنامه­نویسی در LabVIEW در دو بخش Front pannel وBlock diagram انجام می­ شود. در بخشFront panel المان­های ظاهری، نمودارها، ورودی­های کنترلی و… قرار داده می­شوند. اما ارتباط این المان­ها با یکدیگر و بدنۀ اصلی برنامه، در Block diagram قرار می­گیرد.
در این فصل به بررسی چگونگی عملکرد برنامه و رفع خطاهای احتمالی می­پردازیم.
تنظیمات برنامه
در شکل ت-۸ صفحه اول برنامه را می­بینید که در این صفحه باید تمام تنظیمات را انجام دهید. این صفحه از دو قسمت تشکیل شده است، قسمت اول (Setting and Run) مربوط به تنظیمات شبکه، ذخیره­سازی داده ­ها و تنظیمات مربوط به بردها است، قسمت دوم (Load Recorded Data) مربوط به بارگذاری داده ­ها است که هر یک را به تفضیل در این فصل مورد بررسی قرار می­دهیم.
شکل ت-۸: نمایی از صفحه اول برنامه
برای اجرای برنامه باید روی آیکون  کلیک کنید یا کلیدهای ترکیبی Ctrl+R را بفشارید، اگر آیکون به شکل  تغییر کرد، برنامه در حال کار کردن است.
روش بدست آوردن IP دستگاه
برای بدست آوردن IP هر دستگاهی کافی است کامپیوتر شما و دستگاه مربوطه به یک شبکه متصل باشند در این صورت کافی است مراحل زیر را طی کنید:
کلید Start را از روی کیبورد فشار دهید.
در قسمت Search در Windows 7 تایپ کنید cmd.exe و کلید Enter را فشار دهید (شکل ت-۹).
شکل ت-۹: پنجره استارت ویندوز و باز کردن cmd.exe
در پنجره باز شده (شکل ت-۱۰) باید نام برد اصلی که ۶۴CHDL است را به همراه دستور ping وارد کنید تا IP برد اصلی را به شما بدهد (منظور از برد اصلی بردی است که به درگاه LAN متصل است)، برای این کار کافی است بنویسید ping 64chdl و کلید Enter را فشار دهید.
شکل ت-۱۰: اجرای دستور ping
IP نوشته در شکل ت-۱۰ همان IP مربوط به برد اصلی است که در این شکل مقدار آن ۱۹۲٫۱۶۸٫۱٫۶ می­باشد.
اگر نوشتهPing request could not find host 64chdl. Please check the name and try againe. را مانند شکل ت-۱۱ مشاهده کردید یکی از حالات زیر اتفاق افتاده است:
Firewall ویندوز شما اجازه دسترسی نمی­دهد که در این مورد باید Firewall سیستم خود را خاموش کنید.
رایانه شما به شبکه متصل نیست که باید مسیر ارتباطی رایانه خود را چک نمایید.
برد اصلی به شبکه متصل نیست که باید کابل مربوط به شبکه آن را چک کنید، اگر کابل به درستی به برد متصل باشد چراغ­های روی جک مربوطه روشن می­ شود.
برد و رایانه به یک شبکه واحد متصل نیستند یعنی هر کدام در یک شبکه مجزا هستند.
شکل ت-۱۱: خطا در دستور ping
تنظیمات شبکه
در قسمت مربوط به تنظیمات درگاه LAN (شکل ت-۱۲) باید کادر مربوط بهIP (Server IP Address) را پر کنید برای این کار ابتدا باید IP مربوط به برد اصلی را بدست آورید که روش بدست آوردن IP را در قسمت قبل توضیح دادیم. در این سامانه کادر مربوط به پورت (Remote Port (828)) نباید تغییری کند، چون پورت مربوط به برد اصلی ۸۲۸ است. چراغ مربوطه (Connect) وضعیت اتصال یا عمل اتصال به شبکه را نشان می­دهد.
شکل ت-۱۲: تنظیمات شبکه
تنظیمات ذخیره­سازی
در این قسمت (شکل ت-۱۳) باید ابتدا روی Record Path کلیک کنید و آدرس محلی که می­خواهید داده ­های شما در آن قسمت ذخیره شود را انتخاب کنید.
شکل ت-۱۳: تنظیمات ذخیره­سازی داده ­ها
همچین می­توانید مانند شکل ت-۱۴ نام فایل را به حالت اولیه خودش بگذارید یا نام دلخواهی برای آن انتخاب کنید. نام پیش­فرض آن با Graph شروع می­ شود و داخل پرانتز اول تاریخ آن روز به میلادی نوشته می­ شود سپس، در آخرین پرانتز زمان آن لحظه به ساعت، دقیقه، ثانیه آورده می­ شود؛ در آخر باید روی دکمه Save کلیک کنید تا آدرس مانند شکل ت-۱۵ در کادر مربوطه قرار گیرد.
در ضمن باید به این نکته توجه داشته باشید که نام فایل با پسوند .xls انتخاب شود.

(۲-۲)

که در آن بهره­وری کلی عوامل تولید، ارزش افزوده واقعی (به قیمت ثابت)، ارزش موجودی سرمایه به قیمت ثابت، تعداد نیروی کار یا نفر ساعت، سهم عامل سرمایه در ارزش افزوده و سهم عامل کار در ارزش افزوده است. در الگوی کندریک از فروض همگنی تابع تولید و قضیه اولر استفاده شده است. اگر فرض همگنی خطی یا بازدهی ثابت نسبت به مقیاس به کار گرفته شود خواهد بود و تنها نیاز به برآورد پارامتر خواهد بود.
دومین روش مستقیم محاسبه بهره­وری کل عوامل، استفاده از شاخص دیویژیا^[۷] برای جمعی­سازی نهاده­هاست. در این روش شاخص بهره­وری کل عوامل به صورت زیر تعریف می­ شود:

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

(۲-۳)

اگر فرض همگنی خطی یا بازدهی ثابت نسبت به مقیاس به کار گرفته شود پس خواهد شد. در شرایط رقابت کامل که به هر عامل به اندازه بهره­وری نهایی آن پرداخت می­ شود، و بیانگر کشش­های تولیدی نسبت به سرمایه و کار نیز هستند. بنابراین در شرایطی که اطلاعات آماری در خصوص سهم­های عوامل از تولید وجود ندارد می­توان از کشش­های تولیدی کار و سرمایه در برآورد بهره­وری کل عوامل استفاده نمود (دانشمند، ۱۳۹۰).

روش­های غیرمستقیم محاسبه شاخصTFP
اولین روش که به مانده سولو معروف شده است در حقیقت چیزی جز تفاضل میانگین موزون رشد عوامل از رشد تولید نیست. این موضوع به زبان ریاضی به صورت زیر قابل بیان است:

(۲-۴)

به عبارت دیگر، آن بخش از رشد تولید که توسط رشد کمی نیروی کار و سرمایه قابل توضیح دادن نیست به رشد بهره­وری کل عوامل منتسب می­ شود. یکی از اشکالات این روش مربوط به در نظر گرفتن یک مقدار ثابت و معین برای سهم کار و سرمایه است، در حالیکه سهم­های عامل از سالی به سال دیگر و از فعالیتی به فعالیت دیگر در حال تغییر و تحول است. شایان ذکر است، نتایج تخمین TFP از این روش با روش استفاده از شاخص دیویژیا یکسان است، زیرا اگر از رابطه (۲-۳) لگاریتم طبیعی گرفته، سپس از آن بر حسب زمان مشتق کلی بگیریم، رابطه (۲-۴) به دست می ­آید.
برای محاسبه شاخص بهره­وری کل عوامل از روش مانده سولو، ابتدا فرم تابعی معینی برای تابع تولید در نظر می­گیریم و سپس آن را به روش اقتصادسنجی برآورد می­کنیم و در نهایت براساس تابع برآورد شده می­توان کشش­های تولیدی کار و سرمایه را برآورد نمود (یعنی پارامترهای و ). پس از به دست آوردن تخمین­های کشش­های تولیدی کار و سرمایه می­توان با بهره گرفتن از رابطه (۲-۴) نرخ رشد سالانه بهره­وری کل عوامل را به دست آورد. با فرض اینکه شاخص بهره­وری کل عوامل در سال پایه برابر ۱۰۰ باشد می­توان با اضافه کردن نرخ­های رشد سالانه بهره­وری کل عوامل، مقدار مطلق شاخص TFP را به دست آورد.
دومین روش غیر مستقیم در محاسبه TFP معروف به روش سولو^[۸] است. در روش سولو تابع تولید به صورت زیر تعریف می­ شود که مبتنی بر فرض پیشرفت فناوری بی­طرف یا خنثی از نوع هیکس است:

(۲-۵)

که در آن برآوردی از بهره­وری کل عوامل تولید است. در این روش یک فرم تابعی معین برای تابع تولید در نظر گرفته می­ شود و سپس پارامترهای آن با بهره گرفتن از تکنیک­های اقتصادسنجی برآورد می­ شود. سولو توابعی به فرم کاب-داگلاس را برای محاسبه بهره­وری کل عوامل تولید توصیه می­نماید.
شایان ذکر است، در مواردی که اطلاعات مربوط به سهم عامل کار از تولید در دسترس باشد، بدون برآورد تابع تولید می­توان شاخص بهره­وری کل عوامل را محاسبه نمود. با فرض اینکه تابع تولید از نوع کاب-داگلاس و بازدهی ثابت نسبت به مقیاس وجود دارد می­توان بهره­وری کل عوامل را از رابطه زیر برآورد نمود:

(۲-۶)